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| 【照明】青色LED發光效率增加30%的源泉 |
| （時間:2010-5-5 12:31:17） |
韓國教育科學技術部(長官：安炳萬)21日發表了由韓國國內研究組將第二代照明光源的InGaN青色LED的發光效率最高增加了30%以上的源泉技術開發成功。
在光州科技院的鄭建永,鄭文錫研究員的主導下，金基錫博士生與鄭炫研究員，金相幕博士生的參與下所開發的此次研究結果被材料工學領域的科學期刊(AdvancedFunctionalMaterials,IF=6.808)選定為9日版的被矚目的論文，并被登載為封面論文。
此次開發的技術與原有的LED相比，不會低減電器的特征，依靠鋅氧粉納米桿的光導波路現象，增加30%以上的發光效率。
鄭建永教授講到：“此次研究結果從材料費或工程費側面比較簡單地將光導波管作用的鋅氧粉(ZnO)桿在低溫下，不會為LED電極構造帶來影響的同時使之生長，是將發光效率跨越性提高的源泉技術，今后的研究等與納米技術融合的話，2015年的1,100億美金的利益效果與世界LED照明市場的先占將成為可能”。
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